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BAV20WS

更新时间:2025-05-13 03:55:43
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BAV20WS 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IFM=400A/IO=200mA/IFRM=625mA/IR=100nA
    电压参数:URRM=200V/RWM=UR=150V/UR(RMS)=106V/U(BR)R(IR=100mA)=200V/UFM(IF=100mA)1V
    功  率:PD=200mW
    其他参数:trr=50μs
    备  注:贴片开关二极管

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  • 大小:107.84KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 15/06/2012 TOP DYNAMIC BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diodes High Voltage Switching Diode Features ? Fast switching speed ? Surface mount package ideally suited for automatic insertion Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage BAV19WS BAV20WS BAV21WS V RRM 120 200 250 V Reverse Voltage BAV19WS BAV20WS BAV21WS V R 100 150 200 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 200 mA Forward Continuous Current I FM 400 mA Repetitive Peak Forward Current I FRM 625 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current at t = 1 μs at t = 1 s I FSM 2.5 0.5 A Power Dissipation P tot 200 mW Operating and Storage Temperature Range T j , T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit Reverse Breakdown Voltage at I R = 100 μA BAV19WS BAV20WS BAV21WS V (BR)R 120 200 250 - - - V Rev
  • 制造商:Taiwan Semiconductor
  • 产品种类:发光二极管(通用、电源、转换)
  • 封装:Reel
  • 工厂包装数量:3000
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