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BC858CDXV6T1

更新时间:2025-07-05 22:55:48
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BC858CDXV6T1 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 最大直流电集电极电流
    0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    420 at 2 mA at 5 V
  • 配置
    Dual
  • 最大工作频率
    100 MHz
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-563-6
  • 封装
    Reel
  • 集电极连续电流
    - 0.1 A
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    357 mW
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