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BCY59VIII

更新时间:2025-06-02 12:45:39
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BCY59VIII外观图

BCY59VIII

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR NPN SS TO-18

  • 封装:TO-206AA，TO-18-3 金属罐
BCY59VIII 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    700mV @ 2.5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    10nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    180 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大
    390mW
  • 频率 - 转换
    200MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-206AA，TO-18-3 金属罐
  • 供应商设备封装
    TO-18
  • 包装
    散装
  • 其它名称
    497-6655BCY59VIII-ND
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