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BF1211R

更新时间:2025-05-16 21:57:38
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BF1211R 规格参数
  • 制造商
    NXP
  • 产品种类
    射频MOSFET小信号晶体管
  • 配置
    Single Dual Gate
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    6 V
  • 闸/源击穿电压
    6 V
  • 漏极连续电流
    0.03 A
  • 功率耗散
    180 mW
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SC-61B
  • 封装
    Reel - 7 in
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 工厂包装数量
    3000
  • 零件号别名
    BF1211R,215
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