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BFS17AW-GS08

更新时间:2025-04-08 19:24:46

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BFS17HTA[技术参数]标准包装：3,000 类别：分离式半导体产品家庭：RF 晶体管 (BJT) 系列：- 晶体管类型：NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15VBFS17P[技术参数]晶体管极性:：?频道电压, Vceo:：15V 过渡频率, ft:：2.5GHz 功耗, Pd:：280mW 集电极直流电流:：25mA 直流电流增益 hFE:：70BFS17T116[技术参数]制造商：ROHM Semiconductor 产品种类：Transistors Bipolar (BJT) 晶体管极性：NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO：15 VBFS17TA[技术参数]标准包装：3,000 类别：分离式半导体产品家庭：RF 晶体管 (BJT) 系列：- 晶体管类型：NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15VBFS17W[技术参数]安装类型：表面贴装宽度：1.35mm 封装类型：UMT 尺寸：1 x 2.2 x 1.35mm 引脚数目：3 晶体管类型：NPN 最低工作温度：-65 °CBFS17H BFS17L BFS17LT1 BFS17P E6327 BFS17PE6327 BFS17P-E6327 BFS17PE-6327 BFS17PE6433 BFS17PW BFS17R BFS17S BFS17S /MCS BFS17S/MC BFS17W/E1 bfs17we6327 BFS18 BFS18/FD

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