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BQ4014MB-120

更新时间:2025-06-22 16:09:41
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BQ4014MB-120外观图

BQ4014MB-120

Texas Instruments 存储器

IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP

  • 封装:32-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
BQ4014MB-120 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    集成电路 (IC)
  • 家庭
    存储器
  • 系列
    -
  • 格式 - 存储器
    RAM
  • 存储器类型
    NVSRAM（非易失 SRAM）
  • 存储容量
    2M (256K x 8)
  • 速度
    120ns
  • 接口
    并联
  • 电源电压
    4.75 V ~ 5.5 V
  • 工作温度
    0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳
    32-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
  • 供应商设备封装
    32-DIP 模块（18.42x52.96）
  • 包装
    管件
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