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BRD20N03

更新时间:2025-05-23 22:45:19

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BRD20N03 概述

BRD20N03是来自Bright Power Semiconductor的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。其最大漏极电流可达20A，非常适合于直流-直流转换器、电机驱动以及电源管理等需要高效能量转换的场合。在电池供电设备中，由于其较低的导通损耗，可以有效延长设备的工作时间。使用时需注意栅极电压应稳定在规定范围内以确保可靠导通，同时要关注散热设计以防止过热损坏。在实际电路设计中，可将其用于H桥或半H桥电路实现电机正反转控制。

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