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BS108G

更新时间:2025-06-12 11:48:05
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BS108G外观图

BS108G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
BS108G 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    250mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    8 欧姆 @ 100mA，2.8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    150pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    350mW
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装
    TO-92-3
  • 包装
    管件
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