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BSB013NE2LXI

更新时间:2025-05-26 00:46:10
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BSB013NE2LXI 规格参数
  • 数据列表
    BSB013NE2LXI
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    163A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.3 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4400pF @ 12V
  • 功率 - 最大
    2.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    3-WDSON
  • 供应商设备封装
    MG-WDSON-2，CanPAK M?
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSB013NE2LXI-NDBSB013NE2LXIXUMA1SP000756346
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