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BSB053N03LP G

更新时间:2025-05-18 23:39:15
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BSB053N03LP G 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    17 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0053 Ohms
  • 配置
    Single Dual Drain Dual Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    WDSON
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    3.4 ns
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 功率耗散
    2.3 W
  • 上升时间
    4 ns
  • 典型关闭延迟时间
    19 ns
  • 零件号别名
    BSB053N03LPGXT
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