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BSM15GD120DN2E3224

更新时间:2025-07-03 22:39:50
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  • 上海方整科技有限公司

  • BSM15GD120DN2E3224

  • 优势

  • 6055

  • Infineon

  • -/22+

  • 全新原装进口 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年

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BSM15GD120DN2E3224 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 集电极—射极饱和电压
    2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    25 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    150 nA
  • 功率耗散
    145 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    EconoPACK 2
  • 封装
    Reel
  • 栅极/发射极最大电压
    20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
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