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BSM25GB120DN2

更新时间:2025-06-12 12:59:33
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BSM25GB120DN2 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品种类
    IGBT 模块
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Half Bridge Module
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 集电极—射极饱和电压
    2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    38 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    180 nA
  • 功率耗散
    200 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    Half Bridge1
  • 栅极/发射极最大电压
    20 V
  • 安装风格
    Screw
  • 工厂包装数量
    500
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