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BSM35GP120

更新时间:2025-07-06 00:34:24
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • BSM35GP120G

  • 优势

  • 1032

  • Infineon/英飞凌

  • MODULE/25+

  • 全新原装原盒原标实拍 支持选型 保证质量 新批次

您是不是要找：BSM35GD120DN2E3224 BSM35GD120DN2E BSM35GD120DN2_E3224 BSM35GD120DN2(DLC) BSM35GD120DN2 E3224 BSM35GD120DN2 BSM35GD120DLCE3224 BSM35GD120DLC_E3224 BSM35GD120DLC BSM35GD120D2 BSM35GP-120
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BSM35GP120 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品种类
    IGBT 模块
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 集电极—射极饱和电压
    2.4 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    45 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    300 nA
  • 功率耗散
    230 W
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 封装 / 箱体
    EconoPIM2
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
  • 工厂包装数量
    500
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