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BSS123L

更新时间:2025-06-20 16:34:12

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BSS123L 概述

BSS123L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，由英飞凌科技生产。该器件采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装工艺。BSS123L 的最大漏源电压 (VDS) 为 60V，适合用于中等功率的开关应用。其低栅极电荷和低导通电阻特性，使其在高频开关电路中表现出色，特别适用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电源管理电路。此外，BSS123L 还具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。由于其紧凑的封装和优异的电气性能，这款 MOSFET 常见于消费电子设备和工业控制领域。在实际应用中，建议仔细考虑散热设计以确保最佳性能。

BSS123L 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
2.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.5 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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