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BSS8402DW1T1G

更新时间:2025-05-20 05:51:50

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BSS8402DW1T1G 概述

BSS8402DW1T1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK封装形式。该器件专为高效能、低导通电阻应用设计，在栅极电压为4.5V时，其最大导通电阻仅为36毫欧姆，这有助于降低功耗并提高整体效率。此款MOSFET广泛应用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、电池充电器及负载开关等场景。它也可用于电机驱动和同步整流应用中。在实际使用时，需注意栅极驱动电压要满足最小阈值要求以确保完全开启，同时要考虑散热设计避免过热损坏。电路设计中应合理布局走线，减少寄生电感对开关性能的影响。

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