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BST82,215

更新时间:2025-05-13 14:31:31
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BST82,215外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：190mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 欧姆 @ 150mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：40pF @ 10V
  • 功率 - 最大：830mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：TO-236AB
  • 包装：带卷 (TR)
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