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BSV236SP H6327

更新时间:2025-05-31 04:59:08
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BSV236SP H6327 规格参数
  • 数据列表
    BSV236SP
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    175 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.2V @ 8µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    228pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    560mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    PG-SOT363-6
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSV236SP H6327-NDBSV236SPH6327XTSA1SP000917672
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