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BU2527AF

更新时间:2024-04-17 16:41:57
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    12.0A/800V

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  • 大小:70.81KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:Silicon Diffused Power Transistor
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:5.2mm
  • 封装类型:TO-247F
  • 尺寸:21.5 x 15.3 x 5.2mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:45000 mW
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.3 V
  • 最大直流集电极电流:12 A
  • 最大集电极-发射极电压:800 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:5 V
  • 最小直流电流增益:5 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极功率
  • 配置:单
  • 长度:15.3mm
  • 高度:21.5mm
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