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BU808DFI

更新时间:2025-05-17 14:53:50
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BU808DFI外观图

BU808DFI

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 单路

IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218

  • 封装:ISOWATT-218-3
BU808DFI 规格参数
  • 标准包装
    300
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    700V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1.6V @ 500mA，5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    400µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    60 @ 5A，5V
  • 功率 - 最大
    52W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    ISOWATT-218-3
  • 供应商设备封装
    ISOWATT-218
  • 包装
    管件
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