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BUB323ZT4

更新时间:2025-06-15 23:16:39
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BUB323ZT4外观图

BUB323ZT4

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
BUB323ZT4 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1.7V @ 250mA，10A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    500 @ 5A，4.6V
  • 功率 - 最大
    150W
  • 频率 - 转换
    2MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D2PAK
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BUB323ZT4OS
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