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BUP313

更新时间:2024-04-24 16:31:07
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  • 厂家:SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述:IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:TO-218-3
  • 封装:Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic:32 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 安装风格:Through Hole
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