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BUT12A

更新时间:2024-03-29 18:23:51
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BUT12A 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IC=8A/ICP=20A/IB=4A
    电压参数:UCBO=1000V/UCEO=450V/UEBO=9V
    功  率:PC=100W
    极  性:NPN

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  • 大小:136.23KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:isc Silicon NPN Power Transistor
  • 标准包装:200
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):450V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 1.2A,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):-
  • 功率 - 最大:100W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220
  • 包装:散装
BUT12A 相关信息
  • 常用晶体三极管.场效应管
    ...00 3 40 BU2520DF 1500 10 125 BUX86 1200 4 40 BU2522AF 1500 10 80 BUX98 850 30 250 BU2522DF 1500 10 80 BUX98A 1000 30 250 BU2523AF 1500 10 80 BUX98C 1200 30 250 BU2523DF 1500 10 80 BUT12A 1000 10 100 BU2525AF 1500 12 80 BVW13AF 1000 15 150 NPN 表二:彩电C类电源、行管 型号 反压V 电流A 功率W 放大倍数 频率M 类型 型号 反压V 电流A 功率W 放大倍数 频率M 类型 2SC1942...

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