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BUX85G

更新时间:2025-06-14 23:11:50

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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BUX85G外观图

BUX85G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB

封装:TO-220-3

BUX85G 概述

BUX85G是英飞凌科技公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于多种功率管理应用。此款MOSFET的最大漏源电压(VDS)为60V，连续漏极电流(ID)可达12A，在栅极电压为10V时的导通电阻(RDS(on))典型值为45mΩ。这些参数使其非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动电路以及电源管理系统中作为开关元件使用。其快速开关特性有助于减少能量损耗并提高系统效率。在实际应用中，建议在栅极串联一个小电阻以抑制振荡现象，并且需要确保散热良好以维持稳定工作温度。设计PCB布局时应尽量缩短源极与栅极之间的走线长度，减少寄生电感的影响。此外，在驱动电机等感性负载时，应在漏极和源极之间并联一个续流二极管以保护MOSFET免受反向电压冲击。

BUX85G 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
450V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
1V @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大）
200µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
30 @ 100mA，5V
功率 - 最大
50W
频率 - 转换
4MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
BUX85GOS

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