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BZV55-B3V9,115

更新时间:2025-06-13 15:01:35
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BZV55-B3V9,115外观图

BZV55-B3V9,115

NXP Semiconductors 单二极管/齐纳

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80C

  • 封装:SOD-80C
BZV55-B3V9,115 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    单二极管/齐纳
  • 系列
    -
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)
    3.9V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
    900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
    3µA @ 1V
  • 容差
    ±2%
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)
    90 欧姆
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOD-80C
  • 供应商设备封装
    LLDS; MiniMelf
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 工作温度
    -65°C ~ 200°C
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