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C3M0015065D

更新时间:2025-05-26 22:27:22
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C3M0015065D 规格参数
  • 现有数量
    1,182现货
  • 系列
    C3M?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    21 毫欧 @ 55.8A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.6V @ 15.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    188 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）
    +15V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    5011 pF @ 400 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    416W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247-3
  • 封装/外壳
    TO-247-3
芯知识
1.8万
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广东微尔科技有限公司
C3M0015065D推荐型号

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