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CLY2

更新时间:2024-09-26 10:06:51
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  • 厂家:TriQuint
  • 描述:High-Power Packaged GaAs FET
  • 制造商:TriQuint
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:1.8 GHz
  • 增益:14.5 dB
  • 漏源电压 VDS:9 V
  • 闸/源击穿电压:- 6 V
  • 漏极连续电流:650 mA
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 功率耗散:900 mW
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:MW-6
  • P1dB:23.5 dBm
  • 封装:Reel
  • 零件号别名:1014601
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