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CMF20120D

更新时间:2025-06-03 00:15:21
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CMF20120D 规格参数
  • 产品培训模块
    1200V SiC Mosfet Overview
  • 视频文件
    Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    Z-FET™
  • FET 型
    SiCFET N 通道，碳化硅
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    33A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    110 毫欧 @ 20A，20V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    90.8nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1915pF @ 800V
  • 功率 - 最大
    150W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247-3
  • 包装
    管件
芯知识
8.7万
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广东微尔科技有限公司
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