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D45H11G

更新时间:2025-07-03 19:05:19

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D45H11G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS PNP 10A 80V TO220AB

封装:TO-220-3

D45H11G 概述

D45H11G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用表面贴装封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。其最大漏极-源极电压为55V，在栅极驱动电压为10V时，典型导通电阻仅为12.5mΩ，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此款MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。例如，在直流-直流转换器中，它能有效控制能量传输；在无刷直流电机驱动电路里，可作为功率开关元件使用。设计时需注意散热处理，并确保栅极驱动电压稳定以避免误触发。对于PCB布局，建议尽量缩短源极和漏极走线长度以减小寄生电感影响。

D45H11G 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
10A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大）
10µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
2W
频率 - 转换
40MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
D45H11GOS

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