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DB106G

更新时间:2024-04-17 14:31:55
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  • 制造商:GeneSiC Semiconductor
  • 峰值反向电压:800 V
  • 最大 RMS 反向电压:560 V
  • 正向连续电流:1 A
  • 最大浪涌电流:30 A
  • 正向电压下降:1.1 V
  • 最大反向漏泄电流:5 uA
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:DB
  • 封装:Bulk
  • 最小工作温度:- 65 C
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IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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