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DB157G

更新时间:2025-07-03 10:34:56
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DB157G 规格参数
  • 制造商
    GeneSiC Semiconductor
  • 峰值反向电压
    1000 V
  • 最大 RMS 反向电压
    700 V
  • 正向连续电流
    1.5 A
  • 最大浪涌电流
    50 A
  • 正向电压下降
    1.1 V
  • 最大反向漏泄电流
    5 uA
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    DB
  • 封装
    Bulk
  • 最小工作温度
    - 65 C
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