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DMN2019UTS-13

更新时间:2025-05-26 05:11:15
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DMN2019UTS-13 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    5.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    18.5 毫欧 @ 7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    950mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    143pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    780mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-TSSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    DMN2019UTS-13DITR
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苏州固锝电子股份有限公司
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