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DS36C200M/NOPB

更新时间:2025-06-10 11:27:52
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DS36C200M/NOPB 规格参数
  • 制造商
    National Semiconductor (TI)
  • 激励器数量
    2
  • 接收机数量
    2
  • 数据速率
    100 Mbps
  • 工作电源电压
    5 V
  • 最大功率耗散
    1255 mW
  • 最大工作温度
    + 70 C
  • 封装 / 箱体
    SOIC-14 Narrow
  • 封装
    Tube
  • 最小工作温度
    0 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 传播延迟时间
    5.5 ns
  • 工厂包装数量
    55
  • Supply Voltage - Max
    5.5 V
  • Supply Voltage - Min
    4.5 V
  • 类型
    LVDS, TTL
DS36C200M/NOPB Datasheet数据手册 PDF下载
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