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DST847BPDP6-7

更新时间:2025-06-03 04:14:54
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DST847BPDP6-7 规格参数
  • 制造商
    Diodes Inc.
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    45 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    6 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    300
  • 配置
    Dual
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-963
  • 封装
    Reel
  • 集电极连续电流
    100 mA
  • 功率耗散
    250 mW
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广东微尔科技有限公司
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