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DTA114TKAT146

更新时间:2023-02-01 23:03:56
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  • 大小:69.2KB
  • 厂家:Rohm
  • 描述: TRANSISTOR; DIGITAL; PNP SC-59; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:10mA; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-346; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-300mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-346; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 功率 - 最大:200mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:3-SMT
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DTA114TKAT146TR
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