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DTA115TKAT146

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  • 大小:1166KB
  • 厂家:
  • 描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 功率 - 最大:200mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:3-SMT
  • 包装:带卷 (TR)
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