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IC Datasheet频道、中国IC资料网

AO4612L Datasheet

IC型号：
AO4612L
PDF描述：
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小：
149.02KB
芯片厂家：
AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]

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上传产品规格书

AO4612L 产品属性

现有数量
0现货
价格
停产
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta），3.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
10.5nC @ 10V，20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540pF @ 30V，1120pF @ 30V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC

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型号

版本

描述

厂商

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