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D2007UK Datasheet

  • D2007UK

  • METAL GATE RF SILICON FET

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TetraFET
D2007UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A
B
C
1
2
D
4
M
3
E
F
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
5W 鈥?28V 鈥?400MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
鈥?SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
G
H
K
I
J
鈥?SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
DRAIN
GATE
DA
PIN 1
PIN 3
SOURCE
SOURCE
PIN 2
PIN 4
鈥?LOW C
rss
鈥?SIMPLE BIAS CIRCUITS
鈥?LOW NOISE
鈥?HIGH GAIN 鈥?13 dB MINIMUM
APPLICATIONS
鈥?/div>
VHF/UHF COMMUNICATIONS
from DC to 500 MHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25掳C unless otherwise stated)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain 鈥?Source Breakdown Voltage
Gate 鈥?Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
29W
65V
卤20V
2A
鈥?5 to 150掳C
200掳C
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 2/98

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  • 型号
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