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D2011UK Datasheet

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  • METAL GATE RF SILICON FET

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TetraFET
D2011UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
D
B
E
8
1
7
2
6
3
4
C
R
F
5
A
O
Q
N
M
J
K
L
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
10W 鈥?28V 鈥?1GHz
SINGLE ENDED
FEATURES
鈥?SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
鈥?SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
鈥?LOW C
rss
I
P
H
G
DBC3 Package
PIN 1 Source
PIN 2 Drain
PIN 3 Drain
PIN 4 Source
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
mm
6.47
0.76
45掳
0.76
1.14
2.67
11.73
8.43
7.92
0.20
0.64
0.30
3.25
2.11
6.35SQ
1.65
0.13
0.25
Tol.
0.08
0.08
5掳
0.08
0.08
0.08
0.13
0.08
0.08
0.02
0.02
0.02
0.08
0.08
0.08
0.51
max
0.07
PIN 5 Source
PIN 6 Gate
PIN 7 Gate
PIN 8 Source
Inches
.255
.030
45
掳
.030
.045
.105
.462
.332
.312
.008
.025
.012
.128
.083
.250SQ
.065
.005
0.010
Tol.
.003
.003
5掳
.003
.003
.003
.005
.003
.003
.001
.001
.001
.003
.003
.003
.020
max
.003
鈥?LOW NOISE
鈥?HIGH GAIN
APPLICATIONS
鈥?/div>
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 2 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25掳C unless otherwise stated)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Semelab plc.
Power Dissipation
Drain 鈥?Source Breakdown Voltage
Gate 鈥?Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
70W
65V
卤20V
8A
鈥?5 to 150掳C
200掳C
Prelim. 9/00

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