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D2225UK Datasheet

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  • METAL GATE RF SILICON FET

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TetraFET
D2225UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A
N
8
D
1
2
C
B
P
7
6
5
3
4
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
5W 鈥?12.5V 鈥?1GHz
PUSH鈥揚ULL
FEATURES
H
K
L
J
E
F
G
M
鈥?SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
鈥?SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
PIN 5 鈥?SOURCE
PIN 6 鈥?GATE 2
PIN 7 鈥?GATE 1
PIN 8 鈥?SOURCE
Tol.
卤0.08
卤0.08
卤0.08
卤0.08
卤0.08
卤0.08
卤0.08
+0.25
-0.00
Min.
Max.
Max.
Min.
Max.
卤0.08
Max.
卤0.08
Inches
0.160
0.200
0.050
0.020
0.140
0.160
0.065
0.030
0.020
0.040
45掳
0掳
7掳
0.008
0.086
0.180
Tol.
卤0.003
卤0.003
卤0.003
卤0.003
卤0.003
卤0.003
卤0.003
+0.010
-0.000
Min.
Max.
Max.
Min.
Max.
卤0.003
Max.
卤0.003
SO8 PACKAGE
PIN 1 鈥?SOURCE
PIN 2 鈥?DRAIN 1
PIN 3 鈥?DRAIN 2
PIN 4 鈥?SOURCE
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
mm
4.06
5.08
1.27
0.51
3.56
4.06
1.65
0.76
0.51
1.02
45掳
0掳
7掳
0.20
2.18
4.57
鈥?VERY LOW C
rss
鈥?SIMPLE BIAS CIRCUITS
鈥?LOW NOISE
鈥?HIGH GAIN 鈥?10 dB MINIMUM
APPLICATIONS
鈥?/div>
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1MHz to 1GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25掳C unless otherwise stated)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Semelab plc.
Power Dissipation
Drain 鈥?Source Breakdown Voltage
Gate 鈥?Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
Website
http://www.semelab.co.uk
E-mail:
sales@semelab.co.uk
17.5W
40V
卤20V
4A
鈥?5 to 150掳C
200掳C
Prelim. 2/99

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    版本
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