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IXTA6N100D2 Datasheet

  • IXTA6N100D2

  • MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK

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IXTA6N100D2 产品属性

  • 50

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 耗尽模式

  • 1000V（1kV）

  • 6A

  • 2.2 欧姆 @ 3A，0V

  • -

  • 95nC @ 5V

  • 2650pF @ 25V

  • 300W

  • 表面贴装

  • TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • TO-263

  • 管件

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