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SI4435DDY-T1-GE3 Datasheet

  • SI4435DDY-T1-GE3

  • MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

  • 206.00KB

  • 9页

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SI4435DDY-T1-GE3 产品属性

  • Vishay

  • MOSFET

  • P-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 8.1 A

  • 24 mOhms

  • Single Quad Drain Triple Source

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOIC-8 Narrow

  • Reel

  • 12 ns, 16 ns

  • - 55 C

  • 2500 mW

  • 8 ns, 35 ns

  • 2500

  • 45 ns, 40 ns

  • SI4435DDY-GE3

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