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TZX6V8 Datasheet

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TZX...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z鈥揇iodes
Features
D
D
D
D
D
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z鈥揷urrent
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25
掳
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
鈥?5...+175
Unit
mW
mA
掳
C
掳
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=4mm, T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Document Number 85614
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
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    DIODES
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  • TZX6V2
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    500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE
    DIODES [Di...
    TZX6V2
  • TZX6V2
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