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M93C66-WMN6 Datasheet

  • M93C66-WMN6

  • ST-MICRO M93C66-WMN6 4kBI T SERIAL CMOS EEPROP

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  • STMicroelectronics   STMicroelectronics

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DC and AC parameters
Table 13.
Symbol
C
L
Load capacitance
Input rise and fall times
Input pulse voltages
Input timing reference voltages
Output timing reference voltages
M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46
AC measurement conditions (M93Cx6-W and M93Cx6-R)
(1)
Parameter
Min.
100
50
0.2V
CC
to 0.8V
CC
0.3V
CC
to 0.7V
CC
0.3V
CC
to 0.7V
CC
Max.
Unit
pF
ns
V
V
V
1. Output Hi-Z is defined as the point where data out is no longer driven.
Figure 8.
AC testing input output waveforms
M93CXX
2.4V
2V
1V
0.4V
INPUT
OUTPUT
2.0V
0.8V
M93CXX-W & M93CXX-R
0.8VCC
0.7VCC
0.3VCC
AI02553
0.2VCC
Table 14.
Symbol
C
OUT
C
IN
Capacitance
(1)
Parameter
Output capacitance
Input capacitance
Test condition
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
Min
5
5
Max
Unit
pF
pF
1. Sampled only, not 100% tested, at T
A
= 25 掳C and a frequency of 1 MHz.
Table 15.
Symbol
I
LI
I
LO
I
CC
DC characteristics (M93Cx6, device grade 6)
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Supply current
Test condition
0V
鈮?/div>
V
IN
鈮?/div>
V
CC
0V
鈮?/div>
V
OUT
鈮?/div>
V
CC
, Q in Hi-Z
V
CC
= 5 V, S = V
IH
, f = 2 MHz,
Q = open
V
CC
= 5 V, S = V
SS
, C = V
SS
,
ORG = V
SS
or V
CC
,
pin7 = V
CC
, V
SS
or Hi-Z
V
CC
= 5 V 卤 10%
V
CC
= 5 V 卤 10%
V
CC
= 5 V, I
OL
= 2.1 mA
V
CC
= 5 V, I
OH
= 鈥?00 碌A
0.8V
CC
鈥?.45
2
Min.
Max.
卤2.5
卤2.5
2
Unit
碌A
碌A
mA
I
CC1
V
IL(1)
V
IH(1)
V
OL(1)
V
OH(1)
Supply current (Standby)
Input low voltage
Input high voltage
Output low voltage
Output high voltage
15
0.8
V
CC
+ 1
0.4
碌A
V
V
V
V
1. The input and output levels are compatible with TTL logic levels.
22/37

M93C66-WMN6 产品属性

  • 100

  • 集成电路 (IC)

  • 存储器

  • -

  • EEPROMs - 串行

  • EEPROM

  • 4K（512 x 8 或 256 x 16）

  • 2MHz

  • Microwire 3 线串行

  • 2.5 V ~ 5.5 V

  • -40°C ~ 85°C

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 8-SO

  • 管件

  • 497-1934-5

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