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M93C86-MN6T Datasheet

  • M93C86-MN6T

  • IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8SOIC

  • 590.00KB

  • 31页

  • STMicroelectronics   STMicroelectronics

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M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46
Figure 4.
Read
Instructions
READ, WRITE, WEN, WDS sequences
S
D
1 1 0 An
A0
Q
ADDR
OP
CODE
Qn
DATA OUT
Q0
Write
S
CHECK
STATUS
D
1 0 1 An
A0 Dn
D0
Q
ADDR
OP
CODE
DATA IN
BUSY
READY
Write
Enable
S
Write
Disable
S
D
1 0 0 1 1 Xn X0
D
1 0 0 0 0 Xn X0
OP
CODE
OP
CODE
AI00878d
1. For the meanings of An, Xn, Qn and Dn, see
Table 5., Table 6.
and
Table 7..
5.3
Erase Byte or Word
The Erase Byte or Word (ERASE) instruction sets the bits of the addressed memory byte (or
word) to 1. Once the address has been correctly decoded, the falling edge of the Chip
Select Input (S) starts the self-timed Erase cycle. The completion of the cycle can be
detected by monitoring the READY/BUSY line, as described in the
READY/BUSY status
section.
15/37

M93C86-MN6T 产品属性

  • 2,500

  • 集成电路 (IC)

  • 存储器

  • -

  • EEPROMs - 串行

  • EEPROM

  • 16K（2K x 8 或 1K x 16）

  • 2MHz

  • Microwire 3 线串行

  • 4.5 V ~ 5.5 V

  • -40°C ~ 85°C

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 8-SO

  • 带卷 (TR)

  • 497-1936-2

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