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E28F640J3C-150 Datasheet

  • E28F640J3C-150

  • Intel StrataFlash Memory (J3)

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256-Mbit J3 (x8/x16)
Table 7.
DC Voltage Characteristics
Symbol
V
PENH
V
LKO
Parameter
V
PEN
during Block Erase,
Program, or Lock-Bit Operations
V
CC
Lockout Voltage
Min
2.7
2.0
Max
3.6
Unit
V
V
Test Conditions
Notes
3,4
5
NOTES:
1. Includes STS.
2. Sampled, not 100% tested.
3. Block erases, programming, and lock-bit configurations are inhibited when V
PEN
鈮?/div>
V
PENLK
,
and not guaranteed in the range between V
PENLK
(max) and V
PENH
(min), and above V
PENH
(max).
4. Typically, V
PEN
is connected to V
CC
(2.7 V鈥?.6 V).
5. Block erases, programming, and lock-bit configurations are inhibited when V
CC
< V
LKO
, and
not guaranteed in the range between V
LKO
(min) and V
CC
(min), and above V
CC
(max).
6. Includes all operational modes of the device including standby and power-up sequences.
7. VCC operating condition for standby has to meet typical operationg coditons.
Datasheet
21

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