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E40N60

更新时间:2025-06-14 11:55:26

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E40N60 概述

E40N60是MCC（Micro Commercial Components）公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用了先进的平面条纹技术，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时，典型Rds(on)值为0.038欧姆。该器件的最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达40A。这款MOSFET适用于多种应用场景，如开关电源、不间断电源、直流 - 直流转换器等高效能功率转换领域。在实际应用中，为了确保其稳定工作，需注意驱动电路的设计，保证足够的栅极驱动电压以降低导通损耗。同时，在布局PCB时，应尽量减小源极和漏极走线的电感，避免寄生振荡现象的发生。对于高可靠性要求的应用场合，还需考虑散热设计，可采用散热器或优化PCB铜箔面积来提高散热性能。

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