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EC3A03B-TL-H

更新时间:2025-05-19 05:05:43
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EC3A03B-TL-H外观图

EC3A03B-TL-H

ON Semiconductor JFET（结点场效应

IC JFET N-CH 40V 1MA ECSP1006-3

  • 封装:3-XFDFN
EC3A03B-TL-H 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50µA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    1mA
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    -
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    1.5V @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1.7pF @ 10V
  • 电阻 - RDS（开）
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 封装/外壳
    3-XFDFN
  • 供应商设备封装
    3-ECSP1006
  • 功率 - 最大
    100mW
芯知识
8.8万
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广东微尔科技有限公司
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