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ECH8602M-TL-H

更新时间:2025-05-16 19:59:09
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ECH8602M-TL-H外观图

ECH8602M-TL-H

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH 30V 6A ECH8

  • 封装:8-SMD，扁平引线
ECH8602M-TL-H 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    30 毫欧 @ 3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    8-ECH
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
8.7万
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广东微尔科技有限公司
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