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EP12SD1SAPE

更新时间:2025-06-22 17:09:38

供应商
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数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
EP12SD1SAPE
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EP12SD1SAPE 概述

EP12SD1SAPE是来自安森美半导体的一款高效功率MOSFET。该型号采用先进的沟槽技术，专为低电压应用设计，具有极低的导通电阻和栅极电荷，有助于降低开关损耗并提升整体系统效率。其最大漏源电压为12V，适合用于直流-直流转换器、负载点调节器以及电池供电设备等场景。在实际应用中，这款MOSFET常被用于需要高频率操作与紧凑设计的电源管理电路中。例如，在便携式电子设备如智能手机和平板电脑的电源管理系统中表现优异。使用时需注意驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，并且要合理布局PCB以减少寄生电感对高频性能的影响。设计时可参考制造商提供的典型应用电路进行优化配置。

EP12SD1SAPE 规格参数

制造商
C&K Components
产品种类
按钮开关
触点形式
SPDT
开关功能
ON - (ON)
电压额定值 AC
20 V
电压额定值 DC
20 V
功率容量 (VA)
0.4 Volt-Amp
安装风格
SMD/SMT
照明
Not Illuminated
IP 等级
IP57
端接类型
Solder
触点电镀
Gold
执行器
Plunger
封装
Bulk
可燃性等级
UL 94 V-0
外壳材料
Liquid Crystal Polymer, Glass Filled
工厂包装数量
600
端子密封
Epoxy

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