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EPC1015

更新时间:2025-05-20 09:13:31
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EPC1015 规格参数
  • 产品培训模块
    eGaN™ BasicseGaN™ Power Transistors CharacteristicsDrivng eGaN™ Power TransistorseGaN FETs for DC-DC ConversioneGaN FET Reliability
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    eGaN®
  • FET 型
    GaNFET N 通道，氮化镓
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    33A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4 毫欧 @ 33A，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 9mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    11.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1100pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    模具剖面（11 焊条）
  • 供应商设备封装
    模具剖面（11 焊条）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    917-1009-6
芯知识
2.1万
视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！
广东微尔科技有限公司
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